05/2010-98 Kodlu Projenin Özeti

BaO/Si(001) arayüzeyinin atomik ve elektronik yapısını araştırmak için potansiyelimsi ve yoğunluk fonksiyoneli teorisine dayanan ab initio hesaplamalar yapıldı. İlk olarak temiz Si(001)(2x1) yüzeyinin atomik yapısı hesaplandı. Temiz yüzey için, dimer bağ uzunlukları yaklaşık 2.25 Å ve dimer bükülme açıları da 16° olarak bulundu. Temiz Si(001)-(2x1) (asimetrik model) yüzeyi için, yüzeyin yarıiletken doğada bulunduğu ve iki tane dolu bir tane de boş yüzey durumuna sahip olduğu belirlendi. BaO/Si(001) arayüzeyinin bant yapısı ve orbital karakteride verildi.
Geri